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IXBT14N300HV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXBT14N300HV
廠商型號(hào)

IXBT14N300HV

參數(shù)屬性

IXBT14N300HV 封裝/外殼為T(mén)O-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:REVERSE CONDUCTING IGBT

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
REVERSE CONDUCTING IGBT

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

365.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 11:06:00

IXBT14N300HV規(guī)格書(shū)詳情

IXBT14N300HV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBT14N300HV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? High Voltage Packages

? High Blocking Voltage

? Anti-Parallel Diode

? Low Conduction Losses

Advantages

? Low Gate Drive Requirement

? High Power Density

Applications

? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? Laser Generators

? Capacitor Discharge Circuits

? AC Switches

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBT14N300HV

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,14A

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    960V,14A,20 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268HV

  • 描述:

    REVERSE CONDUCTING IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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