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IXBT32N300HV分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBT32N300HV
廠商型號

IXBT32N300HV

參數(shù)屬性

IXBT32N300HV 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 3000V 80A 400W TO268

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 3000V 80A 400W TO268

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

309.97 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 16:36:00

IXBT32N300HV規(guī)格書詳情

IXBT32N300HV屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXBT32N300HV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

? High Blocking Voltage

? High Voltage Packages

? Low Conduction Losses

Advantages

? Low Gate Drive Requirement

? High Power Density

Applications:

? Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? Laser Generators

? Capacitor Discharge Circuits

? AC Switches

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXBT32N300HV

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,32A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    50ns/160ns

  • 測試條件:

    1250V,32A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-268HV

  • 描述:

    IGBT 3000V 80A 400W TO268

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
LITTELFUSE
22+
N/A
281
原裝原裝原裝
詢價
IXYS
23+
TO-268
10871
全新原裝
詢價
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
詢價
IXYS
2022+
TO-268HV
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
IXYS(艾賽斯)
2405+
Original
50000
只做原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存,渠道可追溯
詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
IXYS
24+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價