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IXDF502SIAT/R集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IXDF502SIAT/R
廠商型號

IXDF502SIAT/R

參數(shù)屬性

IXDF502SIAT/R 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

409.66 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 9:23:00

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IXDF502SIAT/R規(guī)格書詳情

IXDF502SIAT/R屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDF502SIAT/R柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXDF502SIAT/R

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
4480
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
IXYS
23+24
8-Pin,SOIC
28650
原裝原盤原標,提供BOM一站式配單
詢價
IXYS
23+
DIP8
60550
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
詢價
IXYS
24+
8-SOIC
65200
一級代理/放心采購
詢價
IXYS
23+
dip8
7000
詢價
IXYS/艾賽斯
21+
dip8
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
IXYS
2016+
DIP8
890
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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IXYS/艾賽斯
23+
dip8
98900
原廠原裝正品現(xiàn)貨!!
詢價
IXYS/艾賽斯
25+
dip8
996880
只做原裝,歡迎來電資詢
詢價
IXYS
24+
DIP8
20000
全新原廠原裝,進口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅??!
詢價