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IXDI430YI集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IXDI430YI
廠商型號

IXDI430YI

參數(shù)屬性

IXDI430YI 封裝/外殼為TO-263-6,D2Pak(5 引線 + 接片),TO-263BA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

功能描述

30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

封裝外殼

TO-263-6,D2Pak(5 引線 + 接片),TO-263BA

文件大小

781.94 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-8 22:58:00

IXDI430YI規(guī)格書詳情

IXDI430YI屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDI430YI柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

General Description

The IXDN430/IXDI430/IXDD430/IXDS430 are high speed high current gate drivers specifically designed to drive MOSFETs and IGBTs to their minimum switching time and maximum practical frequency limits. The IXD_430 can source and sink 30A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 30ns. The input of the drivers are compatible with TTL or CMOS and are fully immune to latch up over the entire operating range. Designed with small internal delays, cross conduction/current shoot-through is virtually eliminated in all configurations. Their features and wide safety margin in operating voltage and power make the drivers unmatched in

performance and value.

Features

? Built using the advantages and compatibility of CMOS and IXYS HDMOS? processes

? Latch-Up Protected

? High Peak Output Current: 30A Peak

? Wide Operating Range: 8.5V to 35V

? Under Voltage Lockout Protection

? Ability to Disable Output under Faults

? High Capacitive Load

Drive Capability: 5600 pF in <25ns

? Matched Rise And Fall Times

? Low Propagation Delay Time

? Low Output Impedance

? Low Supply Current

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXDI430YI

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    8.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    30A,30A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    18ns,16ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-6,D2Pak(5 引線 + 接片),TO-263BA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263-5

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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