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IXDN502D1T/R集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IXDN502D1T/R
廠商型號

IXDN502D1T/R

參數(shù)屬性

IXDN502D1T/R 封裝/外殼為6-VDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN

功能描述

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN

封裝外殼

6-VDFN 裸露焊盤

文件大小

409.66 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 19:09:00

IXDN502D1T/R規(guī)格書詳情

IXDN502D1T/R屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDN502D1T/R柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXDN502D1T/R

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-DFN(4x5)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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