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IXDN602D2TR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

IXDN602D2TR
廠商型號(hào)

IXDN602D2TR

參數(shù)屬性

IXDN602D2TR 封裝/外殼為8-VDFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

功能描述

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

封裝外殼

8-VDFN 裸露焊盤

文件大小

1.6 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Clare, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Clare

中文名稱

Clare, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 12:15:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXDN602D2TR

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN-EP(5x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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