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IXDR35N60BD1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠(chǎng)料號(hào)：IXDR35N60BD1品牌：IXYS

資料說(shuō)明：IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247

IXDR35N60BD1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXDR35N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ixdr35n60bd1

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXDR35N60BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，35A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.6mJ（開(kāi)），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    300V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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IXYS/艾賽斯
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ISOPLUS247
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原裝正品，支持實(shí)單
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IXYS
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ISOPLUS247?
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IXYS/艾賽斯
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ISOPLUS247
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