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IXDT30N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠料號(hào)：IXDT30N120品牌：IXYS/艾賽斯

原裝正品，支持實(shí)單

IXDT30N120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO-268AA/TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA的IXDT30N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXDT30N120

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    89.51 kb

  • 資料說(shuō)明：

    High Voltage IGBT with optional Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXDT30N120

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，30A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    唐先生

  • 手機(jī)：

    18982634631

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-28018831

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C

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