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IXDT30N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXDT30N120
廠商型號

IXDT30N120

參數(shù)屬性

IXDT30N120 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

功能描述

High Voltage IGBT with optional Diode
IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

89.51 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 12:00:00

IXDT30N120規(guī)格書詳情

IXDT30N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDT30N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXDT30N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,30A

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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