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IXFE180N20中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXFE180N20
廠商型號(hào)

IXFE180N20

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

文件大小

525.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IXYS

中文名稱(chēng)

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 17:21:00

IXFE180N20規(guī)格書(shū)詳情

HiPerFET? Power MOSFETs Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr

Features

? Conforms to SOT-227B outline

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

? Fast intrinsic Rectifier

? Encapsulating epoxy meets UL 94 V-0, flammability classification

Applications

? DC-DC converters

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode power supplies

? DC choppers

? Temperature and lighting controls

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFE180N20

  • 功能描述:

    MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
24+
SOT227
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
詢(xún)價(jià)
IXYS
專(zhuān)業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢(xún)價(jià)
IXYS
22+
MODULE
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
IXYS
2022+
SOT-227-4,miniBLOC
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
詢(xún)價(jià)
IXYS
23+
MOSFETN-CH200V158AISOPLU
1690
專(zhuān)業(yè)代理銷(xiāo)售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
詢(xún)價(jià)
IXYS
22+
SOT2274 miniBLOC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢(xún)價(jià)
IXYS
2023+
MODULE
80000
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢(xún)價(jià)
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)惠.全新原裝正品
詢(xún)價(jià)
IXFN
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
詢(xún)價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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詢(xún)價(jià)