首頁(yè)>IXFH12N100P>詳情

IXFH12N100P_IXYS_MOSFET 12 Amps 1000V易創(chuàng)佳業(yè)科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IXFH12N100P

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS/艾賽斯

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-8 10:38:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IXFH12N100P品牌：IXYS/艾賽斯

原裝正品，支持實(shí)單

  • 芯片型號(hào)：

    IXFH12N100P

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大小：

    181.15 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Polar HiPerFET Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IXFH12N100P

  • 功能描述：

    MOSFET 12 Amps 1000V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機(jī)：

    13570897296

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-28018831

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C

相近型號(hào)