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IXFH15N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH15N100
廠商型號

IXFH15N100

功能描述

N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

文件大小

628.09 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-28 21:07:00

IXFH15N100規(guī)格書詳情

Features

● International standard packages

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Low package inductance

- easy to drive and to protect

● Fast intrinsic Rectifier

Applications

● DC-DC converters

● Battery chargers

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● DC choppers

● AC motor control

● Temperature and lighting controls

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole) or

mounting clip or spring (PLUS 247TM)

● High power surface mountable package

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH15N100

  • 功能描述:

    MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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