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IXFH21N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFET Power MOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM21N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFZ21N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MGP21N60E	文件：123.26 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGP21N60E	文件：127.77 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGW21N60ED	文件：152.75 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbotha	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGW21N60ED	文件：152.61 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbotha	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SIHA21N60EF	文件：319.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHA21N60EF	文件：186.66 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA21N60EF	文件：167.73 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES ?FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?IncreasedrobustnessduetolowQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB21N60EF	文件：215.76 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHFP21N60L	文件：162.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFP21N60L	文件：444.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IXFH21N60
制造商：
IXYS
制造商全稱：
IXYS Corporation
功能描述：
HIPERFET Power MOSFTETs

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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