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IXFH30N60P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH30N60P
廠商型號

IXFH30N60P

功能描述

PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件大小

330.12 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 22:30:00

IXFH30N60P規(guī)格書詳情

PolarHV? HiPerFET Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

Avalanche Rated

Features

● Fast Recovery diode

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● International standard packages

● Low package inductance

- easy to drive and to protect

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH30N60P

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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