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IXFH60N25Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IXFH60N25Q |
| 功能描述 | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| 文件大小 |
71.64 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-23 23:00:00 |
| 人工找貨 | IXFH60N25Q價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXFH60N25Q規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Low Gate Charge and Capacitances
Features
? Low gate charge
? International standard packages
? EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
? Low RDS (on) HDMOSTM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Avalanche energy and current rated
? Fast intrinsic Rectifier
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXFH60N25Q
- 功能描述：
MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA/ |
8480 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2020+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
2100 |
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
TO-3P |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
IXYS |
19+ |
TO-248 |
75779 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
IXYS |
21+ |
TO-247 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
568 |
詢價(jià) | |||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
IXS |
2447 |
SMD |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) |
