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IXFH80N10中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXFH80N10
廠商型號(hào)

IXFH80N10

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

文件大小

93.07 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

IXFH80N10規(guī)格書(shū)詳情

VDSS = 100 V

ID25 = 80 A

RDS(on) = 12.5 m?

trr ≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt

Features

International standard packages

Low RDS (on)

Rated for unclamped Inductive load switching (UIS)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFH80N10

  • 功能描述:

    MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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