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IXFN24N90Q_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-IXYS

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原廠料號(hào)：IXFN24N90Q品牌：IXYS

資料說明：MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

IXFN24N90Q是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝SOT-227-4，miniBLOC的IXFN24N90Q晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號(hào)：

    ixfn24n90q

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXFN24N90Q

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    HiPerFET?, Q Class

  • 包裝：

    盒

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    24A（Tc）

  • 功率耗散（最大值）：

    500W（Tc）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-227B

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 描述：

    MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
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德國IXYS艾塞斯
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原裝正品假一罰十支持實(shí)單
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