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IXFR12N100Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFR12N100Q
廠商型號(hào)

IXFR12N100Q

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances

文件大小

33.66 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 11:10:00

IXFR12N100Q規(guī)格書詳情

HiPerFET? Power MOSFETs ISOPLUS247? Q CLASS (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dV/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Features

● Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

● Low drain to tab capacitance(<50pF)

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Fast intrinsic Rectifier

Applications

● DC-DC converters

● Battery chargers

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● DC choppers

● AC motor control

Advantages

● Easy assembly

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFR12N100Q

  • 功能描述:

    MOSFET 12 Amps 1000V 1 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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