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IXFR24N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFR24N100
廠商型號(hào)

IXFR24N100

功能描述

HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

文件大小

36.22 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 11:40:00

IXFR24N100規(guī)格書詳情

HiPerFET? Power MOSFET ISOPLUS247? (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features

? Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

? Low drain to tab capacitance(<30pF)

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Avalanche rated

? Fast intrinsic Rectifier

Applications

? DC-DC converters

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode power supplies

? DC choppers

? AC motor drives

Advantages

? Easy assembly

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFR24N100

  • 功能描述:

    MOSFET 1KV 22A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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