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IXFT26N60Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFT26N60Q
廠商型號(hào)

IXFT26N60Q

功能描述

HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class

文件大小

107.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 15:30:00

IXFT26N60Q規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg

Features

● Low gate charge

● International standard packages

● Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

● Low RDS (on) HDMOSTM process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Avalanche energy and current rated

● Fast intrinsic Rectifier

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFT26N60Q

  • 功能描述:

    MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價(jià)
IXYS
24+
2173
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IXYS
2022+
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IXYS/艾賽斯
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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IXYS/艾賽斯
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TO-268
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公司只做原裝正品
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IXYS
2023+
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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IXYS/艾賽斯
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TO-268D3PAK
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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IXYS
21+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
13880
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詢價(jià)