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IXFT6N100Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IXFT6N100Q |
| 功能描述 | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| 文件大小 |
124.68 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IXYS |
| 中文名稱(chēng) | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-3 18:45:00 |
| 人工找貨 | IXFT6N100Q價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXFT6N100Q規(guī)格書(shū)詳情
Features
● IXYS advanced low Qg process
● Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
● International standard packages
● Low RDS (on)
● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
● Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
● Easy to mount
● Space savings
● High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXFT6N100Q
- 功能描述：
MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-268 |
43000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
21+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-268 |
6000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-268 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單 |
詢價(jià) | ||
IXYS/LITTELFUSE |
2023 |
TO-268 |
2160 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-268 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
48000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
