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IXFX360N15

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=360A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX360N15T2

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFX360N15

  • 功能描述：

    功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Micrel

  • 產(chǎn)品：

    MOSFET Gate Drivers

  • 類型：

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 電源電壓-最大：

    30 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.75 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-8

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXFX360N15供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 10:18:00

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