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IXGA30N60C3C1_IXYS_IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A貿(mào)澤芯城一部

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  • 廠家型號(hào)：

    IXGA30N60C3C1

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS/艾賽斯

  • 庫存數(shù)量：

    65000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-22 11:10:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IXGA30N60C3C1品牌：IXYS/艾賽斯

原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種

  • 芯片型號(hào)：

    IXGA30N60C3C1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    294.36 kb

  • 資料說明：

    GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IXGA30N60C3C1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商

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