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IXGH10N100AU1

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode

Features ●Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinone package ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -soft

IXYS

IXYS Corporation

IXGH10N100AU1

Package:TO-247-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產品屬性

  • 產品編號:

    IXGH10N100AU1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    2mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    100ns/550ns

  • 測試條件:

    800V,10A,150 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGH10N100AU1供應商 更新時間2025-1-18 15:30:00