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IXGH25N120A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH25N120A
廠商型號

IXGH25N120A

參數(shù)屬性

IXGH25N120A 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

功能描述

Low VCE(sat) High speed IGBT
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

文件大小

45.88 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-10-25 20:00:00

IXGH25N120A規(guī)格書詳情

Low VCE(sat) High speed IGBT

Features

? International standard package JEDEC TO-247 AD

? 2nd generation HDMOSTM process

? Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

? Capacitor discharge systems

? Solid state relays

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

? High power density

IXGH25N120A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH25N120A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH25N120A

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    11mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    100ns/650ns

  • 測試條件:

    960V,25A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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