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IXGH30N60A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH30N60A
廠商型號(hào)

IXGH30N60A

參數(shù)屬性

IXGH30N60A 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 50A 200W TO247AD

功能描述

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IGBT 600V 50A 200W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

64.75 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 8:30:00

IXGH30N60A規(guī)格書詳情

IXGH30N60A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH30N60A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS? process

Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGH30N60A

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,30A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 200W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
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IXYS/艾賽斯
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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