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IXGH50N60A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXGH50N60A
廠(chǎng)商型號(hào)

IXGH50N60A

參數(shù)屬性

IXGH50N60A 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 250W TO247AD

功能描述

HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IGBT 600V 75A 250W TO247AD

文件大小

92.52 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IXYS

中文名稱(chēng)

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠(chǎng)下載下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-1-2 23:00:00

IXGH50N60A規(guī)格書(shū)詳情

IXGH50N60A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH50N60A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Surface Mountable

Features

International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD

High frequency IGBT

High current handling capability

2nd generation HDMOS? process

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGH50N60A

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    4.8mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    50ns/200ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,50A,2.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 250W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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NA/
13888
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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IXYS/艾賽斯
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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全新原廠(chǎng)原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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IXYS/艾賽斯
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IXYS
21+
TO-247
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原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
詢(xún)價(jià)