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IXGH56N60B3

GenX3 600V IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGH56N60B3

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24

IXYS

IXYS Corporation

IXGH56N60B3D1

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Corporation

IXGH56N60B3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH56N60B3D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 330W TO247

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGH56N60B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，44A

  • 開關(guān)能量：

    1.3mJ（開），1.05mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    26ns/155ns

  • 測試條件：

    480V，44A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247（IXTH）

  • 描述：

    DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
5425
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
2022
TO-247
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
I
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
NA/
8675
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
 詢價(jià)
I
22+
TO-247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)
I
24+
TO-247
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
更多IXGH56N60B3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 14:14:00

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