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IXGK120N60B

HiPerFAST IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXGK120N60B

包裝：管件 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 200A 660W TO264AA

IXYS

IXYS Corporation

IXGK120N60B3

GenX3 600V IGBTs

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Corporation

IXGK120N60B_10

HiPerFAST IGBTs

IXYS

IXYS Corporation

IXGK120N60B3

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGK120N60B3

包裝：管件 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26

IXYS

IXYS Corporation

IXGR120N60B

HiPerFASTTMIGBTISOPLUS247TM

IXYS

IXYS Corporation

IXGX120N60B

HiPerFASTIGBTs

IXYS

IXYS Corporation

IXGX120N60B

HiPerFASTIGBT

IXYS

IXYS Corporation

PJMF120N60EC

600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET

Feature: ?RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ ?Easytouse/drive ?HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) ?100AvalancheTested ?100RgTested ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData ?Case:ITO-220AB-Fpackage ?Terminals:

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJMH120N60EC

600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET

Feature: ?RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ ?Easytouse/drive ?HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) ?100AvalancheTested ?100RgTested ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData ?Case:TO-247AD-3LDpackage ?Terminals

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJMP120N60EC

600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET

Feature: ?RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ ?Easytouse/drive ?HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) ?100AvalancheTested ?100RgTested ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData ?Case:TO-220AB-Lpackage ?Terminals:

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

SIHA120N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?4thgenerationEseriestechnology ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Co(er)) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB120N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG120N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?4thgenerationEseriestechnology ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Co(er)) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHH120N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP120N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGK120N60B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，120A

  • 開關(guān)能量：

    2.4mJ（開），5.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    60ns/200ns

  • 測試條件：

    480V，100A，2.4 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264（IXGK）

  • 描述：

    IGBT 600V 200A 660W TO264AA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-264
8866
詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
2020+
TO-264
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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IXYS
24+
TO-3PL
264
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
90000
只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
22+
TO264 (IXGK)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO264 (IXGK)
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-264(IXGK)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
更多IXGK120N60B供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 15:30:00

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