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IXGN200N170分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGN200N170
廠商型號

IXGN200N170

參數(shù)屬性

IXGN200N170 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT

功能描述

High Voltage IGBT
IGBT

文件大小

200.2 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 16:26:00

IXGN200N170規(guī)格書詳情

IXGN200N170屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGN200N170晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGN200N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,100A

  • 開關(guān)能量:

    28mJ(開),30mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    37ns/320ns

  • 測試條件:

    850V,100A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
23+
IGBT300A600VSOT-227B
1690
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
詢價
IXYS
21+
SOT227B
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價
IXYS
22+
模塊
200
專營模塊
詢價
IXYS/LITTELFUSE
22+
SOT-227B
2000
絕對真實(shí)庫存 原裝正品
詢價
IXYS
6000
面議
19
 專營模塊
詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價
IXYS
23+
模塊
3562
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
MODULE
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS
22+
SOT227B
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS
23+
模塊
160
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價格優(yōu)勢!
詢價