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首頁(yè)>IXGP16N60C2D1>芯片詳情
IXGP16N60C2D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IXGP16N60C2D1品牌:IXYS
IXGP16N60C2D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的IXGP16N60C2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXGP16N60C2D1
- 制造商:
IXYS
- 類(lèi)別:
- 系列:
HiPerFAST?
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,12A
- 開(kāi)關(guān)能量:
160μJ(開(kāi)),90μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
16ns/75ns
- 測(cè)試條件:
400V,12A,22 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 40A 150W TO220
供應(yīng)商
- 企業(yè):
天津市博通航睿技術(shù)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
馬總
- 手機(jī):
18322198211
- 詢價(jià):
- 電話:
18322198211
- 地址:
天津市南開(kāi)區(qū)科研西路12號(hào)356室
相近型號(hào)
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