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IXGP2N100A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IXGP2N100A |
參數(shù)屬性 | IXGP2N100A 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1000V 4A 25W TO220AB |
功能描述 | High Voltage IGBT |
文件大小 |
85.86 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-22 20:00:00 |
IXGP2N100A規(guī)格書詳情
IXGP2N100A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGP2N100A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IXGP2N100A
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.5V @ 15V,2A
- 開關(guān)能量:
260μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
15ns/300ns
- 測試條件:
800V,2A,150 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
8866 |
詢價 | |||
IXYS |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
48000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |