IXGR60N60C2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠料號:IXGR60N60C2品牌:IXYS/艾賽斯

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IXGR60N60C2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝NA//TO-247-3的IXGR60N60C2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    IXGR60N60C2

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    612.54 kb

  • 資料說明:

    Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGR60N60C2

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    490μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    18ns/95ns

  • 測試條件:

    400V,50A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    肖先生

  • 手機:

    19076157484

  • 詢價:
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    0755-82538261

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