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IXGT15N120B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGT15N120B
廠商型號

IXGT15N120B
參數(shù)屬性

IXGT15N120B 封裝/外殼為TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 30A 180W TO268
功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 1200V 30A 180W TO268
封裝外殼

TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
文件大小

170.73 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 11:42:00
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IXGT15N120B規(guī)格書詳情

IXGT15N120B屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGT15N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

● International standard packages

JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD

● Low switching losses, low V(sat)

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

● High power density

● Suitable for surface mounting

● Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT15N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    1.75mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/180ns

  • 測試條件：

    960V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 180W TO268

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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