IXGT30N60C2_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號:IXGT30N60C2品牌:IXYS

資料說明:IGBT 600V 70A 190W TO268

IXGT30N60C2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA的IXGT30N60C2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    ixgt30n60c2

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 資料說明:

    IGBT 600V 70A 190W TO268

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGT30N60C2

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,24A

  • 開關(guān)能量:

    290μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    13ns/70ns

  • 測試條件:

    400V,24A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 190W TO268

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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