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IXGT40N60B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXGT40N60B
廠商型號(hào)

IXGT40N60B

參數(shù)屬性

IXGT40N60B 封裝/外殼為T(mén)O-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 300W TO268

功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 600V 75A 300W TO268

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

文件大小

296.67 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IXYS

中文名稱(chēng)

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-11 11:09:00

IXGT40N60B規(guī)格書(shū)詳情

IXGT40N60B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGT40N60B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

HiPerFAST? IGBT

Lightspeed Series

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXGT40N60B2

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    400μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    18ns/130ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,3.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO268

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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TO-268
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