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首頁(yè)>IXGX120N120B3>芯片詳情
IXGX120N120B3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IXGX120N120B3品牌:IXYS(艾賽斯)
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXGX120N120B3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS(艾賽斯)/IXYS生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3 變式的IXGX120N120B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IXGX120N120B3
- 制造商:
IXYS
- 類(lèi)別:
- 系列:
GenX3?
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,100A
- 開(kāi)關(guān)能量:
5.5mJ(開(kāi)),5.8mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
36ns/275ns
- 測(cè)試條件:
600V,100A,2 歐姆,15V
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3 變式
- 供應(yīng)商器件封裝:
PLUS247?-3
- 描述:
IGBT 1200V 200A 830W PLUS247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市星辰微電科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
吳先生
- 手機(jī):
17375148621
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-82713279
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411
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