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IXGX35N120B分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGX35N120B
廠商型號

IXGX35N120B

參數(shù)屬性

IXGX35N120B 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

文件大小

1.85097 Mbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 11:10:00

IXGX35N120B規(guī)格書詳情

IXGX35N120B屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGX35N120B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGX35N120B

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HiPerFAST?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,35A

  • 開關能量:

    3.8mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    50ns/180ns

  • 測試條件:

    960V,35A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS
24+
TO-247-3 變式
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
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IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS
21+
PLUS247?3
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
公司只做原裝正品
詢價
IXYS/艾賽斯
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
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IXYS/艾賽斯
22+
PLUS247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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IXYS
1931+
N/A
18
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