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IXGX60N60B2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features ?SquareRBSOA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-onfordrivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?Uninterrup

IXYS

IXYS Corporation

IXGX60N60B2D1

Package：TO-247-3 變式；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 500W PLUS247

IXYS

IXYS Corporation

60N60B2D1

B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

IXYS

IXYS Corporation

IXGK60N60B2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features ?SquareRBSOA ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-onfordrivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?Uninterrup

IXYS

IXYS Corporation

IXGR60N60B2D1

B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGX60N60B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，50A

  • 開關能量：

    1mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    28ns/160ns

  • 測試條件：

    400V，50A，3.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 500W PLUS247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
2016+
TO-247
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
IXYS
2018+
TO247
6528
承若只做進口原裝正品假一賠十!
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
21+
TO247
12588
原裝現(xiàn)貨,量大可定
 詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO247
16161
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
24+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO247
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
IXYS/艾賽斯
21+
TO247
25
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
原裝
1923+
TO-247
8900
公司原裝現(xiàn)貨特價長期供貨歡迎來電咨詢
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
公司只做原裝正品
 詢價
更多IXGX60N60B2D1供應商 更新時間2025-1-25 22:58:00

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