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IXSA10N60B2D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠料號：IXSA10N60B2D1品牌：IXYS

全新原裝現(xiàn)貨

IXSA10N60B2D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-263(D2PAK/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的IXSA10N60B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXSA10N60B2D1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    589.11 kb

  • 資料說明：

    High Speed IGBT with Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXSA10N60B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    430μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/180ns

  • 測試條件：

    480V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263AA

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 100W TO263

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博浩通科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅小姐/王先生

  • 手機(jī)：

    19166251668

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82819109/83242993

  • 傳真：

    0755-82818458

  • 地址：

    國內(nèi)業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北寶華大廈A座808,國際業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場3510A室

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