IXSK35N120BD1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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    原廠料號:IXSK35N120BD1品牌:IXYS

    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷

    IXSK35N120BD1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-264AA(IXSK)/TO-264-3,TO-264AA的IXSK35N120BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

    • 芯片型號:

      IXSK35N120BD1

    • 規(guī)格書:

      下載 下載2

    • 企業(yè)簡稱:

      IXYS詳情

    • 廠商全稱:

      IXYS Corporation

    • 內(nèi)容頁數(shù):

      2 頁

    • 文件大小:

      118.52 kb

    • 資料說明:

      HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 類型

      描述

    • 產(chǎn)品編號:

      IXSK35N120BD1

    • 制造商:

      IXYS

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • IGBT 類型:

      PT

    • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

      3.6V @ 15V,35A

    • 開關(guān)能量:

      5mJ(關(guān))

    • 輸入類型:

      標準

    • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

      36ns/160ns

    • 測試條件:

      960V,35A,5 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-264-3,TO-264AA

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-264AA(IXSK)

    • 描述:

      IGBT 1200V 70A 300W TO264

    供應(yīng)商

    • 企業(yè):

      深圳市鵬順微電子科技有限公司

    • 商鋪:

      進入商鋪

    • 聯(lián)系人:

      楊先生

    • 手機:

      13682380609

    • 詢價:
    • 電話:

      0755-88850894/13682380609

    • 傳真:

      0755-88850894

    • 地址:

      深圳市福田區(qū)華強賽格電子市場69樓6904B-6905A室