首頁(yè)>IXSX35N120BD1>詳情

IXSX35N120BD1_IXYS_IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds永貝爾科技3部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IXSX35N120BD1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    19960

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-13 14:13:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IXSX35N120BD1品牌：IXYS

只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣

  • 芯片型號(hào)：

    IXSX35N120BD1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大小：

    118.52 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IXSX35N120BD1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市永貝爾科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    15869838552

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-83214746

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)68樓6811A

相近型號(hào)