IXTA2N80中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IXTA2N80 |
| 功能描述 | High Voltage MOSFET |
| 文件大小 |
46.61 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IXYS |
| 中文名稱(chēng) | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 8:10:00 |
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IXTA2N80規(guī)格書(shū)詳情
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated
Features
? International standard packages
? Low RDS (on) HDMOSTM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Low package inductance (< 5 nH) - easy to drive and to protect
? Fast switching times
Applications
? Switch-mode and resonant-mode power supplies
? Flyback inverters
? DC choppers
Advantages
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXTA2N80
- 功能描述：
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-263 |
52388 |
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
71431 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
TO-263AA |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-263 |
501584 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA/ |
100 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-263 |
4800 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) |
