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IXTH2R4N120P

N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH2R4N120P

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA2R4N120P

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA2R4N120P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTA2R4N120P

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH2R4N120

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andDC-ACinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTP2R4N120P

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTP2R4N120P

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號:

    IXTH2R4N120P

  • 功能描述:

    MOSFET 2.4 Amps 1200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTH2R4N120P供應商 更新時間2024-12-24 10:12:00