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IXTH48N20分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IXTH48N20
廠商型號

IXTH48N20
參數(shù)屬性

IXTH48N20 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 200V 48A TO247
功能描述

N-Channel Enhancement Mode
MOSFET N-CH 200V 48A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

103.74 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:00:00
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IXTH48N20規(guī)格書詳情

IXTH48N20屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXTH48N20晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXTH48N20T

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    Trench

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    48A（Tc）

  • 功率耗散（最大值）：

    275W（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應商器件封裝：

    TO-247（IXTH）

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 200V 48A TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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