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IXTH6N100D2中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH6N100D2
廠商型號

IXTH6N100D2

功能描述

Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET

文件大小

190.36 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 20:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH6N100D2

  • 功能描述:

    MOSFET 6Amps 1000V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
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TO247
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IXYS
24+
TO-247(IXTH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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