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IXTJ4N150

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

IXYS

IXYS Corporation

IXTT4N150HV

N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode

IXYS

IXYS Corporation

MP4N150

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical18pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

MP4N150-GA-BR

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical18pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

P4N150

N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFV4N150

N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFV4N150

N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFV4N150

N-CHANNEL1500V-5-ohm-4ATO-220FHVeryHighVoltagePowerMESH-TMMOSFET

Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFW4N150

N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFW4N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTJ4N150

  • 功能描述：

    MOSFET High Voltage Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-247
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物
 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
ixys
2023+
TO-247
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多IXTJ4N150供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 10:12:00

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