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IXTK200N10L2

Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA

N-ChannelEnhancementModeGuaranteedFBSOAAvalancheRated Features ●DesignedforLinearOperation ●AvalancheRated ●GuaranteedFBSOAat75°C Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applications ●SolidStateCircuitBreakers ●SoftStartControls ●LinearA

IXYS

IXYS Corporation

IXTK200N10L2

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTN200N10L2

LinearL2TMPowerMOSFETw/ExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

IXTN200N10L2

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=178A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·DCchoppers ·Batterychargers ·Temperatureandlightingcontrols ·Switched-modeandresonant-modepowersu

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTX200N10L2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTX200N10L2

LinearL2PowerMOSFETw/ExtendedFBSOA

N-ChannelEnhancementModeGuaranteedFBSOAAvalancheRated Features ●DesignedforLinearOperation ●AvalancheRated ●GuaranteedFBSOAat75°C Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applications ●SolidStateCircuitBreakers ●SoftStartControls ●LinearA

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTK200N10L2

  • 功能描述：

    MOSFET L2 Linear Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-264(IXTK)
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
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IXYS
22+
TO2643 TO264AA
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更多IXTK200N10L2供應商 更新時間2025-1-22 11:12:00

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