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IXTP02N50D

High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators

IXYS

IXYS Corporation

IXTP02N50D

High Voltage Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

02N50

N-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

IXTU02N50D

HighVoltagePowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTU02N50D

HighVoltageMOSFETN-Channel,DepletionMode

Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators

IXYS

IXYS Corporation

IXTY02N50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTY02N50D

HighVoltageMOSFETN-Channel,DepletionMode

Features ●NormallyONmode ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingspeed Applications ●Levelshifting ●Triggers ●Solidstaterelays ●Currentregulators

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTP02N50D

  • 功能描述：

    MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-220
32189
原裝正品 華強現(xiàn)貨
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IXYS
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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IXYS
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TO-220-3
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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TO-220
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絕對原裝正品假一罰十!
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2020+
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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SMA(DO-214AC)
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IXYS
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N/A
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更多IXTP02N50D供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 20:37:00

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