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IXTQ16N50P	文件：148.85 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated VDSS=500V ID25=16A RDS(on)≤400mΩ Features UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Internationalstandardpackages Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ16N50P	文件：283.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KF16N50F	文件：83.67 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=500V,ID=17A ?Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF16N50P	文件：83.67 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=500V,ID=17A ?Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
MDF16N50G	文件：1.32602 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.0A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF16N50GTH	文件：322.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDF16N50GTH	文件：1.32602 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.0A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP16N50G	文件：1.32602 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.0A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP16N50GTH	文件：331.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDP16N50GTH	文件：1.32602 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.0A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDQ16N50G	文件：871.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.5A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDQ16N50GTH	文件：871.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.5A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDQ16N50GTP	文件：371.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDQ16N50GTP	文件：871.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.5A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSF16N50	文件：456.09 Kbytes Page：4 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSW16N50	文件：900.2 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTV16N50E	文件：298.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTV16N50E	文件：270.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTV16N50E	文件：276.42 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET16AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.40OHM TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETis	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PSM16N50CT	文件：679.36 Kbytes Page：10 Pages	16A500VSingleN??hannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTQ16N50P
功能描述：
MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	24+	TO-3P	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	24+	TO-3P	8866		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IXTQ16N50P	IXYS品牌	2016+	TO-3P	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	23+	TO-3P	5000	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	24+	TO-3P	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	1809+	TO-3P	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXTQ16N50P	IXYS/艾賽斯	23+	TO-3P	5230	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市易訊博科技有限公司	IXTQ16N50P	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)

更多IXTQ16N50P供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:36:00

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